制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PDFN56-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:121 A

Rds On-漏源导通电阻:3.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:77 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:107 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

系列:TSM

晶体管类型:Single N-Channel Power MOSFET

商标:Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:64 S

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:7 ns